В результате выращивания методом БЗП монокристаллического кремния в слитках и последующего ядерного (нейтронно-трансмутационного) легирования примеси не вводятся в кремний, а образуются из атомов самого кремния под воздействием облучением нейтронами, что позволяет получать монокристаллический кремний с заданными электрофизическими параметрами, отвечающий современным требованиям силовой электроники и электроэнергетики по однородности структуры, стабильности и воспроизводимости свойств.
Монокристаллический кремний высокой чистоты широко применяется в производстве полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.
Начальник цеха Улимов Андрей Викторович +7 (495) 276-53-01, доб. 42-55, 43-55 AVUlimov@niipribor.ru |
|
![]() |
Заместитель начальника цеха Рябова Наталья Алексеевна +7 (495) 276-53-01, доб. 40-45 NARyabova@niipribor.ru |